بررسی خواص حسگری لایه های اکسید قلع نانوساختار لایه نشانی شده به روش های تبخیر گرمایی و کَند و پاش نسبت به اتانول

بررسی خواص حسگری لایه‌های اکسید قلع نانوساختار لایه‌نشانی شده به روش‌های تبخیر گرمایی و کَند و پاش نسبت به اتانول

In this paper, manufacturing and evaluation of ethanol gas sensors based on thin films of nanostructure tin oxide have been investigated. SnO2 thin films were prepared by both thermal evaporation (type I) and sputtering (type II) methods and heat treated on silicon wafer substrates. Scanning electron microscope (SEM), atomic force microscope (AFM), X-ray diffraction (XRD) and energy dispersive ...

ریزساختار و خواص لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) تهیه شده در دستگاه کند و پاش مغناطیسی واکنشی

لایه های نازک اکسید وانادیم(VOx) در سیستم کند و پاش مغناطیسی جریان مستقیم تهیه شدند. به منظور دستیابی به فازهایمختلف از اکسید وانادیم، نمونه ها تحت دماها و اتمسفرهای مختلف آنیل شدند. در ابتدالایه های نازک اکسید وانادیم(VOx)بدست آمده در دو دمای مختلف 450 و 500oC آنیل شدند. هر دو لایه شامل ترکیبی از فازهای VO2(M) و V2O5 بودند. فاز غالب در دمای 450oC فاز VO2(M) بود که در دمای 500oC به فاز V2O5 ...

تأثیر زمان لایه نشانی بر خواص ساختاری و فیزیکی پوشش های کربنی لایه نشانی شده با روش کندوپاش مگنترونی

بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم قلع

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیم قلع (ITO) به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای. با ضخامت‌های اسمی 50، 100، 170 و 250 نانومتر، با نرخ انباشت ثابت 10/0 نانومتر بر ثانیه لایه نشانی شده اند. دمای زیرلایه ها در خلال لایه نشانی در دمای 400 درجه سانتیگراد ثابت نگه داشته شد. از تکنیک های پراش پرتو ایکس (XRD) و بازتاب سنجی اشعه ایکس (XRR) برای آنالیز ساختاری لایه های نازک اس...

بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی

In this paper, SiO2 thin film is produced by two methods: at the first method, SiO2 is evaporated by the electron gun and oxygen gas is injected to compensate for oxygen loss due to dissociation. At the second method, silicon monoxide is evaporated by thermal evaporation and during the evaporation time, substrate is bombarded by the ion oxygen that produced by an ion source. The refraction inde...

تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع بر خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک اکسید ایندیم تهیه شده به روش تبخیر با باریکه الکترونی

در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...